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BSB056N10NN3GXUMA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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BSB056N10NN3GXUMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | BSB056N10NN3GXUMA1TR-ND - Bande et bobine BSB056N10NN3GXUMA1CT-ND - Bande coupée (CT) |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | BSB056N10NN3GXUMA1 |
Description | MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 9 A (Ta), 83 A (Tc) 2,8W (Ta), 78W (Tc) Montage en surface MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | BSB056N10NN3GXUMA1 Modèles |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 100µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 74 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5500 pF @ 50 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 2,8W (Ta), 78W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 100 V | Boîtier fournisseur MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 5,6mohms à 30 A, 10V |
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Substituts (2)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| BSB056N10NN3GXUMA3 | Infineon Technologies | 0 | 448-BSB056N10NN3GXUMA3TR-ND | 2,22349 $ | Recommandation fabricant |
| RBE037N10R1SZN6#HB0 | Renesas Electronics Corporation | 0 | 559-RBE037N10R1SZN6#HB0TR-ND | 1,14158 $ | Similaire |
Obsolète
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