Name: AIMDQ75R016M1HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMDQ75R016M1HXUMA1TR-ND
Price: 33.79 CAD
Availability: InStock

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AIMDQ75R016M1HXUMA1
Numéro de produit DigiKey	448-AIMDQ75R016M1HXUMA1TR-ND - Bande et bobine 448-AIMDQ75R016M1HXUMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-AIMDQ75R016M1HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	AIMDQ75R016M1HXUMA1
Description	SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 750 V 98 A (Tc) 384W (Tc) Montage en surface PG-HDSOP-22
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5,6V à 14,9mA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 80 nC @ 18 V
Série CoolSiC™	Vgs (max.) +23V, -5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2869 pF @ 500 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 384W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 750 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 98 A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 0V, 18V	Boîtier fournisseur PG-HDSOP-22
Rds On (max.) à Id, Vgs 22mohms à 41,5A, 18V	Boîtier Module 22-PowerBSOP