Name: AIMCQ120R030M1TXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMCQ120R030M1TXTMA1TR-ND
Price: 24.32 CAD
Availability: InStock

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AIMCQ120R030M1TXTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-AIMCQ120R030M1TXTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-AIMCQ120R030M1TXTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-AIMCQ120R030M1TXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	AIMCQ120R030M1TXTMA1
Description	SIC_DISCRETE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 78 A (Tc) 417W (Tc) Montage en surface PG-HDSOP-22
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	AIMCQ120R030M1TXTMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolSiC™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	78 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	18V, 20V
Rds On (max.) à Id, Vgs	38mohms à 27A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id	5,1V à 8,6mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	57 nC @ 20 V
Vgs (max.)	+25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1738 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	417W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-HDSOP-22
Boîtier	Module 22-PowerBSOP