Name: GT105N10M
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT105N10MTR-ND
Price: 2.8 CAD
Availability: InStock

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GT105N10M
Numéro de produit DigiKey	3141-GT105N10MTR-ND - Bande et bobine 3141-GT105N10MCT-ND - Bande coupée (CT) 3141-GT105N10MDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Goford Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	GT105N10M
Description	MOSFET N-CH 100V 60A 83W TO-263
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 60 A (Tc) 83W (Tc) Montage en surface TO-263
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Fabricant Goford Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 16 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1675 pF @ 50 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 83W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 60 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-263
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Rds On (max.) à Id, Vgs 11mohms à 20A, 10V