Name: GC11N65D5
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GC11N65D5TR-ND
Price: 3.68 CAD
Availability: InStock

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GC11N65D5
Numéro de produit DigiKey	3141-GC11N65D5TR-ND - Bande et bobine 3141-GC11N65D5CT-ND - Bande coupée (CT) 3141-GC11N65D5DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Goford Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	GC11N65D5
Description	N650V, 11A,RD<360M@10V,VTH2.5V~4
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	8 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 11 A (Tc) 78W (Tc) Montage en surface 8-DFN (4,9x5,75)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Goford Semiconductor
Série	SuperJunction
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	11 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	360mohms à 5,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	901 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	78W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-DFN (4,9x5,75)
Boîtier	8-PowerTDFN