Name: G3R75MT12D
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-G3R75MT12D-ND
Price: 15.65 CAD
Availability: InStock

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G3R75MT12D
Numéro de produit DigiKey	1242-G3R75MT12D-ND
Fabricant	GeneSiC Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	G3R75MT12D
Description	SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 41 A (Tc) 207W (Tc) Trou traversant TO-247-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	GeneSiC Semiconductor
Série	G3R™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	41 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	15V
Rds On (max.) à Id, Vgs	90mohms à 20A, 15V
Vgs(th) (max.) à Id	2,69V à 7,5mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	54 nC @ 15 V
Vgs (max.)	+22V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1560 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	207W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247-3
Boîtier	TO-247-3
Numéro de produit de base	G3R75

Questions et réponses sur les produits

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En stock: 2 020

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	15,65000 $	15,65 $
10	14,10000 $	141,00 $
25	13,51840 $	337,96 $
100	12,69890 $	1 269,89 $
250	12,17712 $	3 044,28 $
500	11,80458 $	5 902,29 $
1 000	11,43193 $	11 431,93 $

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.