Name: G3F65MT12K
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3F65MT12K-ND
Price: 17.41 CAD
Availability: InStock

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G3F65MT12K
Numéro de produit DigiKey	1913-G3F65MT12K-ND
Fabricant	Navitas Semiconductor, Inc.
Numéro de produit du fabricant	G3F65MT12K
Description	1200V 65M TO-247-4 G3F SIC MOSFE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 35 A (Tc) 153W (Tc) Trou traversant TO-247-4
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Navitas Semiconductor, Inc.
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiC (transistor à jonction en carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	35 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	86mohms à 15A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	4,3V à 10mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	55 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+22V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1298 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	153W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247-4
Boîtier	TO-247-4

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	17,41000 $	17,41 $
30	10,43433 $	313,03 $
120	8,90567 $	1 068,68 $
510	8,40249 $	4 285,27 $

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.

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