Name: G2R1000MT17J-TR
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G2R1000MT17J-TR-ND
Price: 14.32 CAD
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

G2R1000MT17J-TR
Numéro de produit DigiKey	1913-G2R1000MT17J-TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Navitas Semiconductor, Inc.
Numéro de produit du fabricant	G2R1000MT17J-TR
Description	1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1700 V 5 A (Tc) 44W (Tc) Montage en surface TO-263-7
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Navitas Semiconductor, Inc.
Série	G2R™, LoRing™
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1700 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	20V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,2ohms à 2A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 2mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	11 nC @ 20 V
Vgs (max.)	+20V, -5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	139 pF @ 1000 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	44W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263-7
Boîtier	TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA