EPC2619ENGRT EPC | Produits semi-conducteurs discrets

EPC2619ENGRT est obsolète et n'est plus fabriqué.

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En stock: 13 518

Prix unitaire : 6,83000 $

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EPC2619ENGRT
Numéro de produit DigiKey	917-EPC2619ENGRTTR-ND - Bande et bobine 917-EPC2619ENGRTCT-ND - Bande coupée (CT) 917-EPC2619ENGRTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	EPC
Numéro de produit du fabricant	EPC2619ENGRT
Description	TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 29 A (Ta) Montage en surface MATRICE
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	EPC
Série	eGaN®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	GaNFET (nitrure de gallium)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	29 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	3,3mohms à 16A, 5V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 5,5mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	8.3 nC @ 5 V
Vgs (max.)	+6V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1180 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	-
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	MATRICE
Boîtier	MATRICE