Name: DI170SIC850D7
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI170SIC850D7TR-ND
Price: 8.9 CAD
Availability: OutOfStock

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DI170SIC850D7
Numéro de produit DigiKey	4878-DI170SIC850D7TR-ND - Bande et bobine 4878-DI170SIC850D7CT-ND - Bande coupée (CT) 4878-DI170SIC850D7DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diotec Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	DI170SIC850D7
Description	SIC MOSFET, TO-263-7L, N, 7A, 17
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	10 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1700 V 7 A (Tc) 62W (Tc) Montage en surface TO-263-7
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1mA
Fabricant Diotec Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 23 nC @ 20 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) +20V, -5V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 198 pF @ 1000 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 62W (Tc)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C
Tension drain-source (Vdss) 1700 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 7 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-263-7
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 20V	Boîtier TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
Rds On (max.) à Id, Vgs 850mohms à 2A, 20V

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