Name: DMP2008UFG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMP2008UFG-13DITR-ND
Price: 1.65 CAD
Availability: InStock

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DMP2008UFG-13
Numéro de produit DigiKey	DMP2008UFG-13DITR-ND - Bande et bobine DMP2008UFG-13DICT-ND - Bande coupée (CT) DMP2008UFG-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMP2008UFG-13
Description	MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 14 A (Ta), 54 A (Tc) 2,4W (Ta), 41W (Tc) Montage en surface POWERDI3333-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA
Fabricant Diodes Incorporated	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 72 nC @ 4.5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±8V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6909 pF @ 10 V
Type de FET Canal P	Dissipation de puissance (max.) 2,4W (Ta), 41W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 20 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 14 A (Ta), 54 A (Tc)	Boîtier fournisseur POWERDI3333-8
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,5V, 4,5V	Boîtier 8-PowerVDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 8mohms à 12A, 4,5V	Numéro de produit de base DMP2008