Name: DMP1070UFY4-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMP1070UFY4-7TR-ND
Price: 0.16747 CAD
Availability: OutOfStock

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DMP1070UFY4Q-7

Diodes Incorporated

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Canal P 12 V 5 A (Ta) 800mW Montage en surface X2-DFN2015-3

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DMP1070UFY4-7
Numéro de produit DigiKey	31-DMP1070UFY4-7TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMP1070UFY4-7
Description	IC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 12 V 5 A (Ta) 800mW Montage en surface X2-DFN2015-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	12 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	5 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	48mohms à 4A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	11.7 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	929 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	800mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	X2-DFN2015-3
Boîtier	3-XDFN

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Quantité

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Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
3 000	0,16747 $	502,41 $
6 000	0,15214 $	912,84 $
9 000	0,14432 $	1 298,88 $
15 000	0,13553 $	2 032,95 $
21 000	0,13033 $	2 736,93 $
30 000	0,12527 $	3 758,10 $
75 000	0,11798 $	8 848,50 $