DGD2101S8-13 est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:

Direct

DGD2101MS8-13
Diodes Incorporated
En stock: 1 634
Prix unitaire : 1,74000 $
Fiche technique

Direct

IRS2101STRPBF
Infineon Technologies
En stock: 9 130
Prix unitaire : 1,82000 $
Fiche technique

Similaire

FAN7842MX
onsemi
En stock: 8 435
Prix unitaire : 1,79000 $
Fiche technique

Similaire

IR2101STRPBF
Infineon Technologies
En stock: 13 355
Prix unitaire : 2,36000 $
Fiche technique
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Demi-pont Circuit d’attaque de porte IC Sans inversion 8-SO
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DGD2101S8-13

Numéro de produit DigiKey
DGD2101S8-13DITR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant
DGD2101S8-13
Description
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Référence client
Description détaillée
Demi-pont Circuit d’attaque de porte IC Sans inversion 8-SO
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Diodes Incorporated
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Programmable DigiKey
Non vérifié
Configuration
Demi-pont
Type de canal
Indépendant
Nombre de circuits d'attaque
2
Type de grille
IGBT, MOSFET (canal N)
Tension - Alimentation
10V ~ 20V
Tension logique - VIL, VIH
0,8V, 2,5V
Courant - Sortie de crête (source, absorption)
290 mA, 600 mA
Type d'entrée
Sans inversion
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)
600 V
Temps de montée / descente (typ.)
70ns, 35ns
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur
8-SO
Numéro de produit de base
DGD2101
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Obsolète
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