C3M0280090J-TR Wolfspeed, Inc. | Produits semi-conducteurs discrets

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C3M0280090J-TR
Numéro de produit DigiKey	C3M0280090J-TRTR-ND - Bande et bobine C3M0280090J-TRCT-ND - Bande coupée (CT) C3M0280090J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Wolfspeed, Inc.
Numéro de produit du fabricant	C3M0280090J-TR
Description	SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Référence client
Description détaillée	Canal N 900 V 11 A (Tc) 50W (Tc) Montage en surface TO-263-7
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	C3M0280090J-TR Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Wolfspeed, Inc.
Série	C3M™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	900 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	11 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	15V
Rds On (max.) à Id, Vgs	360mohms à 7,5A, 15V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 1,2mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	9.5 nC @ 15 V
Vgs (max.)	+18V, -8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	150 pF @ 600 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	50W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263-7
Boîtier	TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
Numéro de produit de base	C3M0280090

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