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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
HER307GT-G | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | HER307GT-G-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | HER307GT-G |
Description | DIODE STANDARD 800V 3A DO27 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 32 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 800 V 3A Trou traversant DO-27 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | HER307GT-G Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) |
Fabricant | Temps de recouvrement inverse (trr) 75 ns |
Conditionnement Bande et bobine | Courant - Fuite inverse à Vr 5 µA @ 800 V |
Statut du composant Actif | Type de montage |
Technologies | Boîtier |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 800 V | Boîtier fournisseur DO-27 |
Courant - Moyen redressé (Io) 3A | Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.7 V @ 3 A | Numéro de produit de base |
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Substituts (6)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| HER307GA-G | Comchip Technology | 0 | HER307GA-G-ND | 0,36785 $ | Équivalent paramétrique |
| EGP30K | onsemi | 757 | EGP30KCT-ND | 1,83000 $ | Mise à niveau |
| 1N5627-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 757 | 1N5627-TAPGICT-ND | 5,32000 $ | Similaire |
| BYM36D-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BYM36D-TAP-ND | 2,19454 $ | Similaire |
| BYW178-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BYW178-TAP-ND | 2,04615 $ | Similaire |
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Tous les prix sont en CAD
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 200 | 0,36785 $ | 441,42 $ |
| 2 400 | 0,33518 $ | 804,43 $ |
| 3 600 | 0,32238 $ | 1 160,57 $ |
