TO-220-2
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TO-220-2
TO-220-2

BSDH10G65E2

Numéro de produit DigiKey
118-BSDH10G65E2-ND
Fabricant
Bourns Inc.
Numéro de produit du fabricant
BSDH10G65E2
Description
DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO220
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
27 semaines
Référence client
Description détaillée
Diode 650 V 10A Trou traversant TO-220-2
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Bourns Inc.
Série
BSD
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Technologies
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
650 V
Courant - Moyen redressé (Io)
10A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.7 V @ 10 A
Vitesse
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
Courant - Fuite inverse à Vr
50 µA @ 650 V
Capacité à Vr, F
323pF à 1V, 1MHz
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier
TO-220-2
Boîtier fournisseur
TO-220-2
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 175°C
Numéro de produit de base
BSDH10G65
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En stock: 2 871
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
16,02000 $6,02 $
502,54960 $127,48 $
1002,52220 $252,22 $
5002,28474 $1 142,37 $
1 0002,25579 $2 255,79 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.