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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
BSDH08G65E2 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 118-BSDH08G65E2-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | BSDH08G65E2 |
Description | DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 18 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 650 V 8A Trou traversant TO-220-2 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vitesse Temps de récupération nul > 500mA (Io) |
Fabricant | Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns |
Série | Courant - Fuite inverse à Vr 40 µA @ 650 V |
Conditionnement Tube | Capacité à Vr, F 267pF à 1V, 1MHz |
Statut du composant Actif | Type de montage |
Technologies | Boîtier |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 650 V | Boîtier fournisseur TO-220-2 |
Courant - Moyen redressé (Io) 8A | Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.7 V @ 8 A | Numéro de produit de base |
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Substituts (4)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IDH08G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IDH08G65C5XKSA1-ND | 0,00000 $ | Équivalent paramétrique |
| IDH08G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | 77 | 448-IDH08G65C5XKSA2-ND | 5,76000 $ | Équivalent paramétrique |
| PCDP0865G1_T0_00001 | Panjit International Inc. | 1 995 | 3757-PCDP0865G1_T0_00001-ND | 4,58000 $ | Équivalent paramétrique |
| UJ3D06508TS | onsemi | 27 243 | 5556-UJ3D06508TS-ND | 6,99000 $ | Équivalent paramétrique |
Disponible sur commande
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 4,89649 $ | 14 689,47 $ |
