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AOD2610E | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 800-3742-2-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | AOD2610E |
Description | MOSFET N-CH 60V 46A TO252 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 20 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 60 V 19A (Ta), 46A (Tc) 6,2W (Ta), 59,5W (Tc) Montage en surface TO-252 (DPAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 25 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1100 pF @ 30 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 6,2W (Ta), 59,5W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 60 V | Boîtier fournisseur TO-252 (DPAK) |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V, 4,5V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 9,5mohms à 20A, 10V |
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Substituts (9)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| DMTH6010SK3Q-13 | Diodes Incorporated | 2 076 | DMTH6010SK3Q-13DICT-ND | 2,91000 $ | Similaire |
| FDD10AN06A0 | onsemi | 3 062 | FDD10AN06A0CT-ND | 4,53000 $ | Similaire |
| IRFR48ZPBF | Infineon Technologies | 0 | IRFR48ZPBF-ND | 0,00000 $ | Similaire |
| NVD5C668NLT4G | onsemi | 697 | NVD5C668NLT4GOSCT-ND | 4,48000 $ | Similaire |
| SQD50N06-09L_GE3 | Vishay Siliconix | 3 699 | SQD50N06-09L_GE3CT-ND | 9,63000 $ | Similaire |
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 500 | 0,60178 $ | 1 504,45 $ |
| 5 000 | 0,55710 $ | 2 785,50 $ |
| 7 500 | 0,53433 $ | 4 007,47 $ |
| 12 500 | 0,50877 $ | 6 359,62 $ |
| 17 500 | 0,49363 $ | 8 638,52 $ |
| 25 000 | 0,48320 $ | 12 080,00 $ |
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