MOSFET 600 V série EF

Reposant sur la technologie à superjonction de deuxième génération, la série EF de MOSFET à diodes de substrat rapides 600 V de Vishay Siliconix s'ajoute à la série E existante de composants standard de Vishay, étendant l'offre aux dispositifs pouvant être utilisés dans les topologies à commutation douce/ZVS tels que les ponts déphasés et les demi-ponts de convertisseurs LLC. Les dispositifs SiHx21N60EF, SiHx47N60EF et SiHx70N60EF augmentent la fiabilité dans ces applications en offrant une valeur Qrr 10 fois inférieure par rapport aux MOSFET standard. Cela permet aux dispositifs de pouvoir à nouveau bloquer la tension de claquage complète plus rapidement, pour éviter les défaillances liées aux contraintes thermiques et « shoot-through ». La résistance à l'état passant et la charge de grille ultrafaibles de ces dispositifs se traduisent par des pertes de commutation et de conduction extrêmement faibles permettant des économies d'énergie dans les applications en mode de commutation haute puissance et hautes performances.