MOSFET DTMOS VI en boîtier TOLL
Les MOSFET de Toshiba conviennent aux applications d'alimentations à découpage
Les MOSFET DTMOS VI haute tension de Toshiba présentent une faible résistance à l'état passant (RDS(ON)) drain-source et des propriétés de commutation haute vitesse avec une faible capacité. Ils conviennent ainsi parfaitement aux applications d'alimentations à découpage. Ce DTMOS VI de dernière génération offre le facteur de mérite RDS(ON) x QGD le plus faible, et est logé dans le boîtier TOLL avec une connexion de source Kelvin pour réduire les pertes d'activation et de désactivation.
- Réduction des coûts
- Large plage de résistances à l'état passant et d'options de conditionnement
- Facteur de mérite le plus faible (RDS(ON) x QGD) proposé par le DTMOS VI
- Résistance à l'état passant stable à des températures élevées
- Liberté de choix et flexibilité sur les boîtiers et les résistances RDS(ON)
- DTMOS VI pour une commutation à haut rendement au niveau de l'alimentation
- Réduction de la production de chaleur
- Réduction des coûts des composants passifs
- Densité de puissance plus élevée
- Data centers, onduleurs photovoltaïques et alimentations secourues
- Alimentations à découpage
- Éclairage
- Contrôle de facteur de puissance
- Électronique industrielle
DTMOSVI MOSFETs in TOLL Package
| Image | Référence fabricant | Description | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | TK110U65Z,RQ | DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ | 5932 - Immédiatement | $9.49 | Afficher les détails |
![]() | ![]() | TK190U65Z,RQ | DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ | 1008 - Immédiatement | $6.86 | Afficher les détails |
![]() | TK155U65Z,RQ | DTMOS VI TOLL PD=150W F=1MHZ | 0 - Immédiatement | $6.51 | Afficher les détails | |
![]() | ![]() | TK090U65Z,RQ | DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ | 0 - Immédiatement | $10.98 | Afficher les détails |
![]() | ![]() | TK065U65Z,RQ | DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ | 1676 - Immédiatement | $13.24 | Afficher les détails |



