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Conception d'une alimentation de 3 kW pour serveurs et applications de télécommunications 48 V
Les MOSFET de Toshiba sont conçus pour relever les défis posés par les conceptions de serveurs modernes
Les MOSFET SiC et les MOSFET basse tension de 
Toshiba sont conçus pour répondre aux défis posés par les conceptions de serveurs modernes, tels que l'augmentation de la densité d'espace et les environnements thermiquement élevés.
Dans cette application, Toshiba propose des MOSFET SiC de 650 V pour le côté primaire et des MOSFET de 80 V pour le côté secondaire. Cela est combiné avec des diodes Schottky en SiC et une isolation numérique pour atteindre un rendement élevé dans une topologie de redresseur synchrone à pont complet déphasé et PFC semi-sans pont.
Fonctionnalités
- Convertisseur CA/CC de 3 kW
- MOSFET et diodes à haut rendement
- Isolement numérique
- Tension d'entrée CA : 180 V à 264 V
- Tension de sortie : 50 V CC
- Puissance de sortie : 3 kW
- Topologie du circuit : PFC semi-sans pont, pont complet déphasé + redressement synchrone, circuit à joint torique pour la sortie
Applications
- Serveurs
- Télécommunications
- Fonds de panier 48 V
Schéma fonctionnel
3 kW Power Supply Design
| Image | Référence fabricant | Description | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | TW027U65C,RQ | N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T | 1934 - Immédiatement | $61.24 | Afficher les détails |
|  | TPM1R908QM,LQ | N-CH MOSFET, 80 V, 0.0019 @10V, | 8872 - Immédiatement | $4.42 | Afficher les détails |
|  | TW092V65C,LQ | N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.092 OH | 2480 - Immédiatement | $34.54 | Afficher les détails |
| | TRS12V65H,LQ | DIODE SIL CARB 650V 12A 4DFNEP | 3817 - Immédiatement | $6.31 | Afficher les détails |
|  | TPW2900ENH,L1Q | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO | 1880 - Immédiatement | $5.65 | Afficher les détails |
|  | DCL540C01(T,E | DGTL ISOLTR 5KV 4CH GP 16-SOIC | 2893 - Immédiatement | $9.05 | Afficher les détails |
Date de publication : 2026-02-10
Canada