SemiQ

MOSFET SiC Gen 3 1200 V série QSiC™

Le MOSFET SiC Gen 3 QSiC de SemiQ réduit les pertes de commutation et prend en charge un fonctionnement au-delà de 1400 V

Image des MOSFET SiC Gen 3 1200 V série QSiC™ de SemiQLe MOSFET en carbure de silicium (SiC) de troisième génération 1200 V QSiC de SemiQ est conçu pour les applications haute tension exigeant un plus haut rendement, une taille compacte et des performances thermiques. Environ 20 % plus petit que la génération précédente, il réduit les pertes de commutation et prend en charge un fonctionnement au-delà de 1400 V. Parfait pour les bornes de recharge des véhicules électriques, les onduleurs solaires, les systèmes d'énergie renouvelable, les alimentations industrielles, les entraînements de moteurs et le chauffage par induction, ce dispositif permet de réduire l'empreinte du système tout en améliorant la densité de puissance et la fiabilité.

Disponible en boîtiers nus, SOT-227, TSPak et TO-247-4L, le MOSFET SiC Gen 3 offre aux ingénieurs la flexibilité sur une gamme de conceptions d'alimentation. Avec des performances SiC éprouvées et une construction robuste, il prend en charge l'électronique de puissance efficace de nouvelle génération dans les secteurs industriels et renouvelables.

Fonctionnalités
  • Commutation à haute vitesse pour un meilleur rendement
  • Diode de substrat fiable pour des performances robustes
  • 100 % testé à > 1400 V
  • Référence Kelvin pour un fonctionnement stable
  • Plaque arrière isolée pour une meilleure sécurité
  • Testé en avalanche à 160 mJ pour la durabilité
  • Broche source du circuit d'attaque pour un contrôle de grille optimisé
Applications
  • Onduleurs solaires et photovoltaïques
  • Alimentations à découpage (SMPS) et systèmes d'alimentations secourues (UPS)
  • Équipement de soudage et de chauffage par induction
  • Bornes de recharge de véhicules électriques (EV)
  • Convertisseurs CC/CC haute tension
  • Entraînements de moteurs
  • Chargeurs de batterie
  • Alimentation de serveurs
  • Systèmes de stockage d'énergie

QSiC™ Series 1200 V Gen3 SiC MOSFETs

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
GEN3 1200V, 16M SIC MOSFET, TO-2GP3T016A120HGEN3 1200V, 16M SIC MOSFET, TO-238 - Immédiatement$19.18Afficher les détails
GEN3 1200V, 20M SIC MOSFET, TO-2GP3T020A120HGEN3 1200V, 20M SIC MOSFET, TO-20 - Immédiatement$17.53Afficher les détails
GEN3 1200V, 40M SIC MOSFET, TO-2GP3T040A120HGEN3 1200V, 40M SIC MOSFET, TO-298 - Immédiatement$11.69Afficher les détails
GEN3 1200V, 80M SIC MOSFET, TO-2GP3T080A120HGEN3 1200V, 80M SIC MOSFET, TO-2133 - Immédiatement$8.54Afficher les détails
1200V 20 SIC MOSFET SIX-PACK MODGCMX020A120B2T1P1200V 20 SIC MOSFET SIX-PACK MOD10 - Immédiatement$107.49Afficher les détails
1200V 40 SIC MOSFET SIX-PACK MODGCMX040A120B2T1P1200V 40 SIC MOSFET SIX-PACK MOD10 - Immédiatement$74.52Afficher les détails
1200V 80 SIC MOSFET SIX-PACK MODGCMX080A120B2T1P1200V 80 SIC MOSFET SIX-PACK MOD11 - Immédiatement$55.88Afficher les détails
GEN3 1200V 80M SIC MOSFET MODULEGCMX080C120S1-E1GEN3 1200V 80M SIC MOSFET MODULE30 - Immédiatement$31.84Afficher les détails
GEN3 1200V 40M SIC MOSFET MODULEGCMX040C120S1-E1GEN3 1200V 40M SIC MOSFET MODULE18 - Immédiatement$34.03Afficher les détails
GEN3 1200V 16M SIC MOSFET MODULEGCMX016C120S1-E1GEN3 1200V 16M SIC MOSFET MODULE0 - Immédiatement$40.60Afficher les détails
GEN3 1200V 8M SIC MOSFET MODULE,GCMX008C120S1-E1GEN3 1200V 8M SIC MOSFET MODULE,31 - Immédiatement$49.53Afficher les détails
GEN3 1200V 80M SIC MOSFET & SBDGCMS080C120S1-E1GEN3 1200V 80M SIC MOSFET & SBD30 - Immédiatement$33.33Afficher les détails
GEN3 1200V 40M SIC MOSFET & SBDGCMS040C120S1-E1GEN3 1200V 40M SIC MOSFET & SBD10 - Immédiatement$37.25Afficher les détails
GEN3 1200V 16M SIC MOSFET & SBDGCMS016C120S1-E1GEN3 1200V 16M SIC MOSFET & SBD30 - Immédiatement$47.95Afficher les détails
GEN3 1200V 8M SIC MOSFET & SBDGCMS008C120S1-E1GEN3 1200V 8M SIC MOSFET & SBD7 - Immédiatement$62.73Afficher les détails
Date de publication : 2025-10-09