MOSFET SiC Gen 3 1200 V série QSiC™

Le MOSFET en carbure de silicium (SiC) de troisième génération 1200 V QSiC de SemiQ est conçu pour les applications haute tension exigeant un plus haut rendement, une taille compacte et des performances thermiques. Environ 20 % plus petit que la génération précédente, il réduit les pertes de commutation et prend en charge un fonctionnement au-delà de 1400 V. Parfait pour les bornes de recharge des véhicules électriques, les onduleurs solaires, les systèmes d'énergie renouvelable, les alimentations industrielles, les entraînements de moteurs et le chauffage par induction, ce dispositif permet de réduire l'empreinte du système tout en améliorant la densité de puissance et la fiabilité.

Disponible en boîtiers nus, SOT-227, TSPak et TO-247-4L, le MOSFET SiC Gen 3 offre aux ingénieurs la flexibilité sur une gamme de conceptions d'alimentation. Avec des performances SiC éprouvées et une construction robuste, il prend en charge l'électronique de puissance efficace de nouvelle génération dans les secteurs industriels et renouvelables.