FET GaN cascode

Les FET GaN cascode de Nexperia offrent une densité de puissance, des performances et une fréquence de commutation élevées. La très grande mobilité électronique du GaN permet la création de dispositifs ayant une faible résistance à l'état passant et une capacité de fréquence de commutation exceptionnellement élevée, ce qui est essentiel dans les systèmes d'alimentation de nouvelle génération, tels que l'Industrie 4.0 et les applications d'énergie renouvelable. La solution unique de FET GaN cascode facilite l'entraînement des dispositifs utilisant les circuits d'attaque de grille MOSFET Si bien connus. Elle offre une température de jonction élevée inégalée [T_j (max) = +175°C], une liberté de conception et une fiabilité améliorée des systèmes d'alimentation.