Alliance Memory, Inc.

Alliance Memory est un fabricant sans usine mondial de produits de mémoire nouveaux et existants qui sont des remplacements directs pour les circuits intégrés SRAM, DRAM et FLASH NOR de Micron, Samsung, ISSI, Cypress, Nanya, Hynix et plus. Leur portefeuille de produits inclut une gamme complète de mémoires SRAM asynchrones de 3,3 V et 5 V utilisées avec les processeurs de signaux numériques (DSP) et les microcontrôleurs traditionnels ; et SRAM synchrones, SRAM basse consommation, pseudo SRAM, DRAM synchrones (SDR) 3,3 V, DDR mobiles, DRAM synchrones à simple débit (DDR1) 2,5 V, double débit (DDR2) 1,8 V, triple débit (DDR3) 1,5 V et 1,35 V, et quadruple débit (DDR4) 1,2 V, ainsi que des dispositifs Flash NOR parallèles de 5 V.

Un investissement élevé dans les matrices de plaquettes signifie qu'ils peuvent minimiser ou éliminer les baisses de matrices tout en maintenant des prix stables. Leur objectif est d'établir des relations à long terme avec les clients et de fournir un support à long terme pour les composants qu'ils fabriquent. Alliance Memory fournit la plupart de leurs produits SRAM, DRAM et FLASH directement à partir du stock, avec des stocks détenus aux États-Unis, à Shanghai et à Taïwan. Grâce à des prix compétitifs, à la rapidité d'exécution des échantillons et à un support et un service client de classe mondiale, Alliance Memory est une ressource de confiance pour une gamme croissante de circuits intégrés de mémoire essentiels pour les marchés informatiques, IoT, industriels, grand public, des communications et des systèmes embarqués.

Alliance Memory, Inc. est une société privée dont le siège est à Kirkland, Washington.