XP6677GH YAGEO XSEMI | Produits semi-conducteurs discrets

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XP6677GH
Numéro de produit DigiKey	5048-XP6677GHTR-ND - Bande et bobine 5048-XP6677GHCT-ND - Bande coupée (CT) 5048-XP6677GHDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	YAGEO XSEMI
Numéro de produit du fabricant	XP6677GH
Description	MOSFET P-CH 40V 60A TO252
Référence client
Description détaillée	Canal P 40 V 60 A (Tc) 69W (Tc) Montage en surface TO-252
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	YAGEO XSEMI
Série	XP6677
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	60 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	12,3mohms à 30A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	70 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	5050 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	69W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63