MOSFET - Matrices 30V 10,8A (Ta), 7,8A (Ta) 2W (Ta) Montage en surface 8-SO
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XP3C011M

Numéro de produit DigiKey
5048-XP3C011MTR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
XP3C011M
Description
MOSFET N/P-CH 30V 11.2A 8SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
16 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 30V 10,8A (Ta), 7,8A (Ta) 2W (Ta) Montage en surface 8-SO
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Rds On (max.) à Id, Vgs
10mohms à 9A, 10V, 22mohms à 7A, 10V
Fabricant
YAGEO XSEMI
Vgs(th) (max.) à Id
3V à 250µA
Série
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
16nC à 4,5V, 20,8nC à 4,5V
Conditionnement
Bande et bobine
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1440pF à 25V, 2080pF à 25V
Statut du composant
Actif
Puissance - Max.
2W (Ta)
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration
Canaux N et P
Type de montage
Montage en surface
Tension drain-source (Vdss)
30V
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
10,8A (Ta), 7,8A (Ta)
Boîtier fournisseur
8-SO
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
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Disponible sur commande
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Tous les prix sont en CAD
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
3 0000,28877 $866,31 $
6 0000,27500 $1 650,00 $
Conditionnement standard du fabricant