MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 700A 1852W Montage sur châssis
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ECB2R1M12YM3

Numéro de produit DigiKey
1697-ECB2R1M12YM3-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
ECB2R1M12YM3
Description
SIC, MODULE, 2.1M, 1200V, 152MM,
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
20 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 700A 1852W Montage sur châssis
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Wolfspeed, Inc.
Série
-
Conditionnement
Boîte
Statut du composant
Actif
Technologies
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
6 canaux N (onduleur triphasé)
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
700A
Rds On (max.) à Id, Vgs
2,8mohms à 550A, 15V
Vgs(th) (max.) à Id
3,6V à 167mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
1696nC à 15V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
51300pF à 800V
Puissance - Max.
1852W
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage sur châssis
Boîtier
Module
Boîtier fournisseur
-
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Boîte
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Conditionnement standard du fabricant