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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
CAB008M12GM3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 1697-CAB008M12GM3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | CAB008M12GM3 |
Description | SIC 2N-CH 1200V |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 20 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) Montage sur châssis |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | CAB008M12GM3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 10,4mohms à 150A, 15V |
Fabricant Wolfspeed, Inc. | Vgs(th) (max.) à Id 3,6V à 46mA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 472nC à 15V |
Conditionnement Plateau | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 13600pF à 800V |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies Carbure de silicium (SiC) | Type de montage Montage sur châssis |
Configuration 2 canaux N (demi-pont) | Boîtier Module |
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV) | Numéro de produit de base |
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Substituts (3)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FF8MR12W1M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies | 18 | 448-FF8MR12W1M1HB11BPSA1-ND | 96,65000 $ | Similaire |
| NXH006P120M3F2PTHG | onsemi | 5 | 5556-NXH006P120M3F2PTHG-ND | 154,22000 $ | Similaire |
| NXH006P120MNF2PTG | onsemi | 40 | 5556-NXH006P120MNF2PTG-ND | 216,70000 $ | Similaire |
En stock: 10
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Quantité
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Plateau
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 246,06000 $ | 246,06 $ |
| 18 | 209,45056 $ | 3 770,11 $ |
À utiliser avec
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