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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SQJB80EP-T1_GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SQJB80EP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQJB80EP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQJB80EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQJB80EP-T1_GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 39 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 80V 30 A (Tc) 48W Montage en surface powerPAK® SO-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SQJB80EP-T1_GE3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 32nC à 10V |
Fabricant Vishay Siliconix | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1400pF à 25V |
Série | Puissance - Max. 48W |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Statut du composant Actif | Grade Automobile |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Qualification AEC-Q101 |
Configuration 2 canaux N (double) | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 80V | Boîtier powerPAK® SO-8 double |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 30 A (Tc) | Boîtier fournisseur powerPAK® SO-8 double |
Rds On (max.) à Id, Vgs 19mohms à 8A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
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Documents et supports
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Ressources supplémentaires
En stock: 14 820
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,05000 $ | 3,05 $ |
| 10 | 1,94000 $ | 19,40 $ |
| 100 | 1,30550 $ | 130,55 $ |
| 500 | 1,03326 $ | 516,63 $ |
| 1 000 | 0,94567 $ | 945,67 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,83447 $ | 2 503,41 $ |
| 6 000 | 0,77852 $ | 4 671,12 $ |
| 9 000 | 0,75003 $ | 6 750,27 $ |
| 15 000 | 0,72672 $ | 10 900,80 $ |
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