
SQJB02ELP-T1_GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | 742-SQJB02ELP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SQJB02ELP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQJB02ELP-T1_GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | cms-lead-weeks-value |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 40V 30 A (Tc) 27W Montage en surface powerPAK® SO-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 32nC à 10V |
cms-manufacturer Vishay Siliconix | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1700pF à 20V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) | Puissance - Max. 27W |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Grade Automobile |
Configuration 2 canaux N (double) | Qualification AEC-Q101 |
Tension drain-source (Vdss) 40V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 30 A (Tc) | Boîtier powerPAK® SO-8 double |
Rds On (max.) à Id, Vgs 7,5mohms à 6 A, 10V | Boîtier fournisseur powerPAK® SO-8 double |
Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 250µA | Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,68000 $ | 2,68 $ |
| 10 | 1,69900 $ | 16,99 $ |
| 100 | 1,13460 $ | 113,46 $ |
| 500 | 0,89288 $ | 446,44 $ |
| 1 000 | 0,81507 $ | 815,07 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,71629 $ | 2 148,87 $ |
| 6 000 | 0,66658 $ | 3 999,48 $ |
| 9 000 | 0,64127 $ | 5 771,43 $ |
| 15 000 | 0,61282 $ | 9 192,30 $ |
| 21 000 | 0,60795 $ | 12 766,95 $ |

