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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SQJ968EP-T1_GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SQJ968EP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQJ968EP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQJ968EP-T1_GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 60V 23.5A PPAK SO8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 23 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 60V 23,5 A (Tc) 42W (Tc) Montage en surface powerPAK® SO-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SQJ968EP-T1_GE3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 18,5nC à 10V |
Fabricant Vishay Siliconix | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 714pF à 30V |
Série | Puissance - Max. 42W (Tc) |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TA) |
Statut du composant Actif | Grade Automobile |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Qualification AEC-Q101 |
Configuration 2 canaux N (double) | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 60V | Boîtier powerPAK® SO-8 double |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 23,5 A (Tc) | Boîtier fournisseur powerPAK® SO-8 double |
Rds On (max.) à Id, Vgs 33,6mohms à 4,8A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
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Documents et supports
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Ressources supplémentaires
En stock: 3 425
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT)
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,68000 $ | 2,68 $ |
| 10 | 1,70200 $ | 17,02 $ |
| 100 | 1,13750 $ | 113,75 $ |
| 500 | 0,89518 $ | 447,59 $ |
| 1 000 | 0,81721 $ | 817,21 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,71823 $ | 2 154,69 $ |
| 6 000 | 0,66841 $ | 4 010,46 $ |
| 9 000 | 0,64304 $ | 5 787,36 $ |
| 15 000 | 0,61454 $ | 9 218,10 $ |
| 21 000 | 0,60987 $ | 12 807,27 $ |
