
SQJ963EP-T1_GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SQJ963EP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQJ963EP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQJ963EP-T1_GE3 |
Description | MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 27 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 60V 8 A (Tc) 27W (Tc) Montage en surface powerPAK® SO-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SQJ963EP-T1_GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux P (double) | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 60V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 8 A (Tc) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 85mohms à 3,5A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,5V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 40nC à 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1140pF à 30V | |
Puissance - Max. | 27W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TA) | |
Grade | Automobile | |
Qualification | AEC-Q101 | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | powerPAK® SO-8 double | |
Boîtier fournisseur | powerPAK® SO-8 double | |
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,83000 $ | 3,83 $ |
| 10 | 2,47100 $ | 24,71 $ |
| 100 | 1,69270 $ | 169,27 $ |
| 500 | 1,35972 $ | 679,86 $ |
| 1 000 | 1,35457 $ | 1 354,57 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,11683 $ | 3 350,49 $ |
| 6 000 | 1,10667 $ | 6 640,02 $ |







