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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SQJ963EP-T1_GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SQJ963EP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQJ963EP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQJ963EP-T1_GE3 |
Description | MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | cms-lead-weeks-value |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 60V 8 A (Tc) 27W (Tc) Montage en surface powerPAK® SO-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SQJ963EP-T1_GE3 cms-models |
Attributs du produit
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Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 40nC à 10V |
cms-manufacturer Vishay Siliconix | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1140pF à 30V |
Série | Puissance - Max. 27W (Tc) |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TA) |
Statut du composant Actif | Grade Automobile |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Qualification AEC-Q101 |
Configuration 2 canaux P (double) | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 60V | Boîtier powerPAK® SO-8 double |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8 A (Tc) | Boîtier fournisseur powerPAK® SO-8 double |
Rds On (max.) à Id, Vgs 85mohms à 3,5A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT)
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 4,24000 $ | 4,24 $ |
| 10 | 2,73200 $ | 27,32 $ |
| 100 | 1,87150 $ | 187,15 $ |
| 500 | 1,50334 $ | 751,67 $ |
| 1 000 | 1,39965 $ | 1 399,65 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,23478 $ | 3 704,34 $ |
| 6 000 | 1,15923 $ | 6 955,38 $ |
| 9 000 | 1,14351 $ | 10 291,59 $ |
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