
SQJ960EP-T1_GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SQJ960EP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQJ960EP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQJ960EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQJ960EP-T1_GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 20 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 60V 8A 34W Montage en surface powerPAK® SO-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SQJ960EP-T1_GE3 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
Fabricant Vishay Siliconix | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 20nC à 10V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 735pF à 25V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Puissance - Max. 34W |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Grade Automobile |
Configuration 2 canaux N (double) | Qualification AEC-Q101 |
Fonction FET Porte de niveau logique | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 60V | Boîtier powerPAK® SO-8 double |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8A | Boîtier fournisseur powerPAK® SO-8 double |
Rds On (max.) à Id, Vgs 36mohms à 5,3A, 10V | Numéro de produit de base |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
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| SQJ960EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | 1 461 | SQJ960EP-T1_GE3CT-ND | 4,79000 $ | Équivalent paramétrique |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 4,79000 $ | 4,79 $ |
| 10 | 3,09900 $ | 30,99 $ |
| 100 | 2,13690 $ | 213,69 $ |
| 500 | 1,72594 $ | 862,97 $ |
| 1 000 | 1,65107 $ | 1 651,07 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,42629 $ | 4 278,87 $ |
| 6 000 | 1,34892 $ | 8 093,52 $ |

