
SQJ264EP-T1_GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | 742-SQJ264EP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SQJ264EP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SQJ264EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQJ264EP-T1_GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 37 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 60V 20 A (Tc), 54 A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8 double asymétrique |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 16nC à 10V, 32nC à 10V |
Fabricant Vishay Siliconix | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1000pF à 25V, 2100pF à 25V |
Série | Puissance - Max. 27W (Tc), 48W (Tc) |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Statut du composant Actif | Grade Automobile |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Qualification AEC-Q101 |
Configuration 2 à canal N (double), asymétriques | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 60V | Boîtier powerPAK® SO-8 double |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 20 A (Tc), 54 A (Tc) | Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8 double asymétrique |
Rds On (max.) à Id, Vgs 20mohms à 6A, 10V, 8,6mohms à 10A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 250µA |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,85000 $ | 3,85 $ |
| 10 | 2,46600 $ | 24,66 $ |
| 100 | 1,68010 $ | 168,01 $ |
| 500 | 1,34350 $ | 671,75 $ |
| 1 000 | 1,23528 $ | 1 235,28 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,09797 $ | 3 293,91 $ |
| 6 000 | 1,02889 $ | 6 173,34 $ |
| 9 000 | 0,99893 $ | 8 990,37 $ |

