Name: SQJ200EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ200EP-T1_GE3TR-ND
Price: 2.61 CAD
Availability: InStock

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SQJ200EP-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	SQJ200EP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQJ200EP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQJ200EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQJ200EP-T1_GE3
Description	MOSFET 2N-CH 20V 20A PPAK SO8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	27 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 20A, 60A 27W, 48W Montage en surface PowerPAK® SO-8 double asymétrique
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SQJ200EP-T1_GE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	20A, 60A
Rds On (max.) à Id, Vgs	8,8mohms à 16A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	18nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	975pF à 10V
Puissance - Max.	27W, 48W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	powerPAK® SO-8 double
Boîtier fournisseur	PowerPAK® SO-8 double asymétrique
Numéro de produit de base	SQJ200