Name: SQ4920EY-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ4920EY-T1_GE3TR-ND
Price: 3.93 CAD
Availability: InStock

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SQ4920EY-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	SQ4920EY-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQ4920EY-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQ4920EY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQ4920EY-T1_GE3
Description	MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 8A 4,4W Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 14,5mohms à 6A, 10V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Série TrenchFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 30nC à 10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1465pF à 15V
Statut du composant Date de dernière disponibilité	Puissance - Max. 4,4W
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration 2 canaux N (double)	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension drain-source (Vdss) 30V	Boîtier fournisseur 8-SOIC
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8A	Numéro de produit de base SQ4920

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 6 309

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Date de dernière disponibilité : 2026-11-23

Quantité

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

SQ4920EY-T1_GE3