
SIZ998DT-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SIZ998DT-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIZ998DT-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIZ998DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIZ998DT-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 55 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 20 A (Tc), 60 A (Tc) 20,2W, 32,9W Montage en surface 8-PowerPair® (6x5) |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIZ998DT-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 250µA |
Fabricant Vishay Siliconix | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8,1nC à 4,5V, 19,8nC à 4,5V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 930pF à 15V, 2620pF à 15V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Puissance - Max. 20,2W, 32,9W |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Type de montage Montage en surface |
Configuration 2 canaux N (double), schottky | Boîtier 8-PowerWDFN |
Tension drain-source (Vdss) 30V | Boîtier fournisseur 8-PowerPair® (6x5) |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 20 A (Tc), 60 A (Tc) | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 6,7mohms à 15A, 10V, 2,8mohms à 19A, 10V |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,88000 $ | 3,88 $ |
| 10 | 2,49300 $ | 24,93 $ |
| 100 | 1,69930 $ | 169,93 $ |
| 500 | 1,35958 $ | 679,79 $ |
| 1 000 | 1,25036 $ | 1 250,36 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,11171 $ | 3 335,13 $ |
| 6 000 | 1,04198 $ | 6 251,88 $ |
| 9 000 | 1,01337 $ | 9 120,33 $ |

