
SIZ918DT-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SIZ918DT-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIZ918DT-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIZ918DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIZ918DT-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 38 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 16 A, 28 A 29W, 100W Montage en surface 8-PowerPair® (6x5) |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIZ918DT-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 12mohms à 13,8A, 10V |
Fabricant Vishay Siliconix | Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 250µA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 21nC à 10V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 790pF à 15V |
Statut du composant Actif | Puissance - Max. 29W, 100W |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configuration 2 canaux N (demi-pont) | Type de montage Montage en surface |
Fonction FET Porte de niveau logique | Boîtier 8-PowerWDFN |
Tension drain-source (Vdss) 30V | Boîtier fournisseur 8-PowerPair® (6x5) |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 16 A, 28 A | Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 4,04000 $ | 4,04 $ |
| 10 | 2,59500 $ | 25,95 $ |
| 100 | 1,77290 $ | 177,29 $ |
| 500 | 1,42090 $ | 710,45 $ |
| 1 000 | 1,30799 $ | 1 307,99 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,16415 $ | 3 492,45 $ |
| 6 000 | 1,09191 $ | 6 551,46 $ |
| 9 000 | 1,06862 $ | 9 617,58 $ |


