
SIZ254DT-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 742-SIZ254DT-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIZ254DT-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIZ254DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIZ254DT-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 70V 11.7A 8PWRPAIR |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 55 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 70V 11,7A (Ta), 32,5A (Tc) 4,3W (Ta), 33W (Tc) Montage en surface 8-PowerPair® (3,3x3,3) |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIZ254DT-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,4V à 250µA |
Fabricant Vishay Siliconix | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 20nC à 10V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 795pF à 35V, 765pF à 35V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Puissance - Max. 4,3W (Ta), 33W (Tc) |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Type de montage Montage en surface |
Configuration 2 canaux N (double) | Boîtier 8-PowerWDFN |
Tension drain-source (Vdss) 70V | Boîtier fournisseur 8-PowerPair® (3,3x3,3) |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11,7A (Ta), 32,5A (Tc) | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 16,1mohms à 10A, 10V |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,08000 $ | 3,08 $ |
| 10 | 1,96200 $ | 19,62 $ |
| 100 | 1,32000 $ | 132,00 $ |
| 500 | 1,04516 $ | 522,58 $ |
| 1 000 | 0,95676 $ | 956,76 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,84452 $ | 2 533,56 $ |
| 6 000 | 0,78805 $ | 4 728,30 $ |
| 9 000 | 0,75929 $ | 6 833,61 $ |
| 15 000 | 0,73693 $ | 11 053,95 $ |

