Name: SISF20DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISF20DN-T1-GE3TR-ND
Price: 3.46 CAD
Availability: OutOfStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SISF20DN-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SISF20DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SISF20DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SISF20DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SISF20DN-T1-GE3
Description	MOSFET 2N-CH 60V 14A PWRPAK1212
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	29 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 60V 14 A (Ta), 52 A (Tc) 5,2W (Ta), 69,4W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8SCD double
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET® Gen IV
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	14 A (Ta), 52 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	13mohms à 7A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	33nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1290pF à 30V
Puissance - Max.	5,2W (Ta), 69,4W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	PowerPAK® 1212-8SCD double
Boîtier fournisseur	PowerPAK® 1212-8SCD double
Numéro de produit de base	SISF20