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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SISF20DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SISF20DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SISF20DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SISF20DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SISF20DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 60V 14A PWRPAK1212 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 55 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 60V 14 A (Ta), 52 A (Tc) 5,2W (Ta), 69,4W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8SCD double |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA |
Fabricant Vishay Siliconix | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 33nC à 10V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1290pF à 30V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Puissance - Max. 5,2W (Ta), 69,4W (Tc) |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Type de montage Montage en surface |
Configuration 2 canaux N (double) | Boîtier PowerPAK® 1212-8SCD double |
Tension drain-source (Vdss) 60V | Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8SCD double |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 14 A (Ta), 52 A (Tc) | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 13mohms à 7A, 10V |
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,73000 $ | 3,73 $ |
| 10 | 2,39900 $ | 23,99 $ |
| 100 | 1,63790 $ | 163,79 $ |
| 500 | 1,31202 $ | 656,01 $ |
| 1 000 | 1,28914 $ | 1 289,14 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,07435 $ | 3 223,05 $ |
| 6 000 | 1,05322 $ | 6 319,32 $ |
