
SISB46DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SISB46DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SISB46DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SISB46DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SISB46DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 33 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 40V 34 A (Tc) 23W Montage en surface powerPAK® 1212-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SISB46DN-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux N (double) | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 40V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 34 A (Tc) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 11,71mohms à 5A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,2V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 11nC à 4,5V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1100pF à 20V | |
Puissance - Max. | 23W | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | powerPAK® 1212-8 double | |
Boîtier fournisseur | powerPAK® 1212-8 double | |
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,91000 $ | 1,91 $ |
| 10 | 1,19500 $ | 11,95 $ |
| 100 | 0,78920 $ | 78,92 $ |
| 500 | 0,61452 $ | 307,26 $ |
| 1 000 | 0,55827 $ | 558,27 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,48683 $ | 1 460,49 $ |
| 6 000 | 0,45087 $ | 2 705,22 $ |
| 9 000 | 0,43255 $ | 3 892,95 $ |
| 15 000 | 0,42012 $ | 6 301,80 $ |








