
SIS990DN-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SIS990DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIS990DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIS990DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIS990DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 42 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 100V 12,1A 25W Montage en surface powerPAK® 1212-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIS990DN-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant Vishay Siliconix | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8nC à 10V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 250pF à 50V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Puissance - Max. 25W |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Type de montage Montage en surface |
Configuration 2 canaux N (double) | Boîtier powerPAK® 1212-8 double |
Tension drain-source (Vdss) 100V | Boîtier fournisseur powerPAK® 1212-8 double |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12,1A | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 85mohms à 8A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| QH8K26TR | Rohm Semiconductor | 1 380 | QH8K26CT-ND | 2,35000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,40000 $ | 2,40 $ |
| 10 | 1,51200 $ | 15,12 $ |
| 100 | 1,00440 $ | 100,44 $ |
| 500 | 0,78616 $ | 393,08 $ |
| 1 000 | 0,71589 $ | 715,89 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,62666 $ | 1 879,98 $ |
| 6 000 | 0,58174 $ | 3 490,44 $ |
| 9 000 | 0,55886 $ | 5 029,74 $ |
| 15 000 | 0,53316 $ | 7 997,40 $ |
| 21 000 | 0,51843 $ | 10 887,03 $ |







