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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIS990DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIS990DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIS990DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIS990DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIS990DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 42 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 100V 12,1A 25W Montage en surface powerPAK® 1212-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIS990DN-T1-GE3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant Vishay Siliconix | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8nC à 10V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 250pF à 50V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Puissance - Max. 25W |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Type de montage Montage en surface |
Configuration 2 canaux N (double) | Boîtier powerPAK® 1212-8 double |
Tension drain-source (Vdss) 100V | Boîtier fournisseur powerPAK® 1212-8 double |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12,1A | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 85mohms à 8A, 10V |
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Documents et supports
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Ressources supplémentaires
En stock: 43 230
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,37000 $ | 2,37 $ |
| 10 | 1,49400 $ | 14,94 $ |
| 100 | 0,99210 $ | 99,21 $ |
| 500 | 0,77654 $ | 388,27 $ |
| 1 000 | 0,70713 $ | 707,13 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,61898 $ | 1 856,94 $ |
| 6 000 | 0,57462 $ | 3 447,72 $ |
| 9 000 | 0,55202 $ | 4 968,18 $ |
| 15 000 | 0,52663 $ | 7 899,45 $ |
| 21 000 | 0,51208 $ | 10 753,68 $ |
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