
SIA975DJ-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SIA975DJ-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIA975DJ-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIA975DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIA975DJ-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 13 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 12V 4,5A 7,8W Montage en surface PowerPAK® SC-70-6 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIA975DJ-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux P (double) | |
Fonction FET | Porte de niveau logique | |
Tension drain-source (Vdss) | 12V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 4,5A | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 41mohms à 4,3A, 4,5V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 1V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 26nC à 8V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1500pF à 6V | |
Puissance - Max. | 7,8W | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | PowerPAK® SC-70-6 double | |
Boîtier fournisseur | PowerPAK® SC-70-6 double | |
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,51000 $ | 1,51 $ |
| 10 | 0,93800 $ | 9,38 $ |
| 100 | 0,61140 $ | 61,14 $ |
| 500 | 0,47134 $ | 235,67 $ |
| 1 000 | 0,42621 $ | 426,21 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,36886 $ | 1 106,58 $ |
| 6 000 | 0,33998 $ | 2 039,88 $ |
| 9 000 | 0,32526 $ | 2 927,34 $ |
| 15 000 | 0,30873 $ | 4 630,95 $ |
| 21 000 | 0,30182 $ | 6 338,22 $ |


