
SIA910EDJ-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SIA910EDJ-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIA910EDJ-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIA910EDJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIA910EDJ-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 12V 4.5A PPAK8X8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 28 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 12V 4,5A 7,8W Montage en surface PowerPAK® SC-70-6 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIA910EDJ-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 28mohms à 5,2A, 4,5V |
Fabricant Vishay Siliconix | Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 16nC à 8V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 455pF à 6V |
Statut du composant Actif | Puissance - Max. 7,8W |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configuration 2 canaux N (double) | Type de montage Montage en surface |
Fonction FET Porte de niveau logique | Boîtier PowerPAK® SC-70-6 double |
Tension drain-source (Vdss) 12V | Boîtier fournisseur PowerPAK® SC-70-6 double |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,5A | Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,57000 $ | 1,57 $ |
| 10 | 0,97900 $ | 9,79 $ |
| 100 | 0,63730 $ | 63,73 $ |
| 500 | 0,49014 $ | 245,07 $ |
| 1 000 | 0,44273 $ | 442,73 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,38248 $ | 1 147,44 $ |
| 6 000 | 0,35214 $ | 2 112,84 $ |
| 9 000 | 0,33668 $ | 3 030,12 $ |
| 15 000 | 0,31931 $ | 4 789,65 $ |
| 21 000 | 0,30903 $ | 6 489,63 $ |
| 30 000 | 0,29904 $ | 8 971,20 $ |


