
SIA906EDJ-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIA906EDJ-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIA906EDJ-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIA906EDJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIA906EDJ-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PPAK8X8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 24 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 20V 4,5A 7,8W Montage en surface PowerPAK® SC-70-6 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIA906EDJ-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux N (double) | |
Fonction FET | Porte de niveau logique | |
Tension drain-source (Vdss) | 20V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 4,5A | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 46mohms à 3,9A, 4,5V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 1,4V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 12nC à 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 350pF à 10V | |
Puissance - Max. | 7,8W | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | PowerPAK® SC-70-6 double | |
Boîtier fournisseur | PowerPAK® SC-70-6 double | |
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,31000 $ | 1,31 $ |
| 10 | 0,82000 $ | 8,20 $ |
| 100 | 0,53160 $ | 53,16 $ |
| 500 | 0,40774 $ | 203,87 $ |
| 1 000 | 0,36776 $ | 367,76 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,31695 $ | 950,85 $ |
| 6 000 | 0,29136 $ | 1 748,16 $ |
| 9 000 | 0,27832 $ | 2 504,88 $ |
| 15 000 | 0,26367 $ | 3 955,05 $ |
| 21 000 | 0,25500 $ | 5 355,00 $ |
| 30 000 | 0,25152 $ | 7 545,60 $ |









