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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SI9933CDY-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SI9933CDY-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI9933CDY-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI9933CDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI9933CDY-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 38 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 20V 4A 3,1W Montage en surface 8-SOIC |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI9933CDY-T1-GE3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 58mohms à 4,8A, 4,5V |
Fabricant Vishay Siliconix | Vgs(th) (max.) à Id 1,4V à 250µA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 26nC à 10V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 665pF à 10V |
Statut du composant Actif | Puissance - Max. 3,1W |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Température de fonctionnement -50°C ~ 150°C (TJ) |
Configuration 2 canaux P (double) | Type de montage Montage en surface |
Fonction FET Porte de niveau logique | Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) |
Tension drain-source (Vdss) 20V | Boîtier fournisseur 8-SOIC |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4A | Numéro de produit de base |
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Documents et supports
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Ressources supplémentaires
En stock: 88 222
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,65000 $ | 1,65 $ |
| 10 | 1,02600 $ | 10,26 $ |
| 100 | 0,66960 $ | 66,96 $ |
| 500 | 0,51598 $ | 257,99 $ |
| 1 000 | 0,46649 $ | 466,49 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 500 | 0,41289 $ | 1 032,22 $ |
| 5 000 | 0,37974 $ | 1 898,70 $ |
| 7 500 | 0,36286 $ | 2 721,45 $ |
| 12 500 | 0,34388 $ | 4 298,50 $ |
| 17 500 | 0,33265 $ | 5 821,38 $ |
| 25 000 | 0,32173 $ | 8 043,25 $ |
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