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SI7997DP-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SI7997DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI7997DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI7997DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI7997DP-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 24 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 60A 46W Montage en surface powerPAK® SO-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI7997DP-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux P (double) | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 30V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 60A | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 5,5mohms à 20A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,2V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 160nC à 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 6200pF à 15V | |
Puissance - Max. | 46W | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | powerPAK® SO-8 double | |
Boîtier fournisseur | powerPAK® SO-8 double | |
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 4,37000 $ | 4,37 $ |
| 10 | 2,83000 $ | 28,30 $ |
| 100 | 1,95340 $ | 195,34 $ |
| 500 | 1,61910 $ | 809,55 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,32279 $ | 3 968,37 $ |












