
SI7997DP-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SI7997DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI7997DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI7997DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI7997DP-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 60A 46W Montage en surface powerPAK® SO-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI7997DP-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 250µA |
Fabricant Vishay Siliconix | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 160nC à 10V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6200pF à 15V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Puissance - Max. 46W |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Type de montage Montage en surface |
Configuration 2 canaux P (double) | Boîtier powerPAK® SO-8 double |
Tension drain-source (Vdss) 30V | Boîtier fournisseur powerPAK® SO-8 double |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 60A | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 5,5mohms à 20A, 10V |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 5,79000 $ | 5,79 $ |
| 10 | 3,78200 $ | 37,82 $ |
| 100 | 2,63770 $ | 263,77 $ |
| 500 | 2,14912 $ | 1 074,56 $ |
| 1 000 | 2,14237 $ | 2 142,37 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,79302 $ | 5 379,06 $ |
| 6 000 | 1,75030 $ | 10 501,80 $ |











