
SI7972DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 742-SI7972DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SI7972DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SI7972DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI7972DP-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 33 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 60V 8 A (Tc) 22W Montage en surface powerPAK® SO-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI7972DP-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux N (double) | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 60V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 8 A (Tc) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 18mohms à 11A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,7V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 11nC à 4,5V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1050pF à 30V | |
Puissance - Max. | 22W | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | powerPAK® SO-8 double | |
Boîtier fournisseur | powerPAK® SO-8 double | |
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,44000 $ | 2,44 $ |
| 10 | 1,54700 $ | 15,47 $ |
| 100 | 1,03440 $ | 103,44 $ |
| 500 | 0,81424 $ | 407,12 $ |
| 1 000 | 0,74341 $ | 743,41 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,65347 $ | 1 960,41 $ |
| 6 000 | 0,60820 $ | 3 649,20 $ |
| 9 000 | 0,59432 $ | 5 348,88 $ |











